ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

উইকিপিডিয়া, মুক্ত বিশ্বকোষ থেকে

উচ্চ শক্তির একটি এস-চ্যানেল ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর
উচ্চ শক্তির একটি এস-চ্যানেল ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর

ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (field-effect transistor - FET) একটি বিশেষ ধরণের ট্রানজিস্টর যা একটি অর্ধপরিবাহী পদার্থের চ্যানেলের তড়িৎ পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণ করতে পারে। তড়িৎ ক্ষেত্রের উপর প্রভাব থাকার কারণে এই নিয়স্ত্রণ প্রতিষ্ঠা সম্ভব হয়। ফেট মাঝে মাঝে একটি বিভব নিয়ন্ত্রিত রোধক হিসেবেও ব্যবহৃত হয়। এ ধরণের ট্রানজিস্টরের গঠনের ধারণা আসান আগে বাইপোলার জাংশন ট্রানজিস্টর (bipolar junction transistor - BJT) ব্যবহৃত হতো। বর্তমানে বিজেটি'র পরিবর্তে সকল স্থানেই ফেট ব্যবহৃত হয়, কারণ ফেট অনেকটাই সরল।

[সম্পাদনা] ফেট-এর ধরণ

ফেট মূলত তিন ধরণের হয়ে থাকে:

  • জেফেট - Junction Field-Effect Transistor, JFET
  • মসফেট - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET
  • মেসফেট - Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET

তবে ফেটের আরো কিছু ধরণ রয়েছে। এই ধরণগুলো ছাড়াও উপরোক্ত তিন ধরণেরই আরো রকমভেদ রয়েছে যেগুলো বিভিন্ন ক্ষেত্র বিভিন্নভাবে ব্যবহার করা হয়।

  • এইচফেট - Heterostructure Field-Effect Transistor, HFET
  • মডফেট - Modulation-Doped Field Effect Transistor, MODFET
  • ফ্রেডফেট - Fast-Reverse Epitaxial Diode Field-Effect Transistor, FREDFET

[সম্পাদনা] বহিঃসংযোগ