تصویر:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x 2.png

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد.

Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x_2.png (575 کیلوبایت، نوع MIME: image/png)

ناموارهٔ ویکی‌انبار این پرونده در ویکی‌انبار موجود است. محتویات صفحهٔ توصیف آن در زیر نمایش داده می‌شود.

[edit] Summary

  • Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111
  • Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005

[edit] Licensing

Public domain I, the author of this work, hereby release it into the public domain. This applies worldwide.

In case this is not legally possible:
I grant anyone the right to use this work for any purpose, without any conditions, unless such conditions are required by law.


Afrikaans | Alemannisch | Aragonés | العربية | Български | Català | Česky | Dansk | Deutsch | Ελληνικά | English | Español | Esperanto | فارسی | Français | Galego | 한국어 | हिन्दी | Hrvatski | Ido | Bahasa Indonesia | Íslenska | Italiano | עברית | Latina | Lietuvių | Magyar | Bahasa Melayu | Nederlands | Norsk (bokmål) | Norsk (nynorsk) | 日本語 | Polski | Português | Ripoarish | Română | Русский | Slovenčina | Slovenščina | Српски | Svenska | ไทย | Türkçe | Українська | Tiếng Việt | Walon | 简体中文 | 繁體中文 | +/-

صفحه‌های زیر به این تصویر پیوند دارند: